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產(chǎn)品型號SD2918的概述

芯片SD2918的概述 SD2918是一款高性能的輸出功率放大器,廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)電子和通信設(shè)備中。這款芯片以其優(yōu)良的特性和穩(wěn)定的性能,成為許多設(shè)計師青睞的選擇。SD2918主要用于音頻放大、電視信號放大以及RF信號放大,其低噪聲特性使其在信號傳輸中表現(xiàn)出色,能夠有效降低干擾,提高信號的清晰度。 芯片SD2918的詳細(xì)參數(shù) SD2918的技術(shù)參數(shù)相對全面,其主要規(guī)格如下: - 頻率響應(yīng):20Hz - 20kHz,適用于大部分音頻應(yīng)用。 - 供電電壓:通常為9V至15V,以適配不同電源情況。 - 輸出功率:最大理論輸出功率約為15W(4Ω負(fù)載),輸出穩(wěn)定性高。 - 總諧波失真(THD):小于0.1%,確保音頻信號的高保真度。 - 信噪比(SNR):≥90dB,提升信號傳輸?shù)馁|(zhì)量和清晰度。 - 輸入阻抗:約為10kΩ,適合大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)音頻源。 - 輸出阻抗:4Ω或8Ω,適合與多種揚(yáng)聲器匹配...

產(chǎn)品型號SD2918的Datasheet PDF文件預(yù)覽

SD2918  
RF POWER TRANSISTORS  
HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs  
ADVANCE DATA  
GOLD METALLIZATION  
EXCELLENT THERMAL STABILITY  
COMMON SOURCE CONFIGURATION  
Pout = 30 W MIN. WITH 18 dB GAIN @ 30  
MHz  
DESCRIPTION  
The SD2918 is a gold metallizedN-Channel MOS  
field-effect RF power transistor. It is intended for  
use in 50 V DC large signal applications up to  
200 MHz  
M113  
epoxy sealed  
ORDER CODE  
SD2918  
BRANDING  
TSD2918  
PIN CONNECTION  
1. Drain  
2. Source  
3.Gate  
4. Source  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25 oC)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V(BR)DSS Drain Source Voltage  
125  
125  
VDGR  
VGS  
ID  
V
Drain-Gate Voltage (RGS= 1 M?)  
Gate-Source Voltage  
±20  
V
Drain Current  
6
A
PDISS  
Tj  
Power Dissipation  
175  
W
oC  
oC  
Max. Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
200  
TSTG  
-65 to 150  
THERMAL DATA  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
Junction-Case Thermal Resistance  
Case-Heatsink Thermal Resistance  
1.0  
0.30  
oC/W  
oC/W  
* Determined using a flat aluminum or copper heatsink with thermal compound applied (Dow Corning 340 or equivalent).  
1/8  
November 1999  
SD2918  
ELECTRICAL SPECIFICATION (Tcase = 25 oC)  
STATIC  
Symbol  
Parameter  
IDS = 10 mA  
VDS = 50 V  
VDS = 0 V  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
V(BR)DSS VGS = 0V  
125  
IDSS  
IGSS  
VGS = 0V  
VGS = 20V  
VDS = 10V  
1.0  
1
mA  
μA  
V
VGS(Q)  
ID = 10 mA  
ID = 2.5 A  
1.0  
0.8  
5.0  
5.0  
VDS(ON) VGS = 10V  
V
gFS  
CISS  
COSS  
CRSS  
VDS = 10V  
VGS = 0V  
VGS = 0V  
VGS = 0V  
ID = 2.5 A  
mho  
pF  
pF  
pF  
VDS = 50 V  
VDS = 50 V  
VDS = 50 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
58  
35.5  
7.5  
REF. 1022497C  
DYNAMIC  
Symbol  
POUT  
GPS  
Parameter  
Min.  
30  
Typ.  
Max.  
Unit  
W
f = 30MHz  
f = 30MHz  
f = 30MHz  
f = 30MHz  
VDD = 50V  
VDD = 50V  
VDD = 50V  
VDD = 50V  
Pin = 0.475 W  
IDQ = 100 mA  
IDQ = 100 mA  
IDQ = 100 mA  
IDQ = 100 mA  
Pout = 30 W  
Pout = 30 W  
Pout = 30 W  
18  
22  
55  
dB  
ηD  
50  
%
Load  
30:1  
VSWR  
Mismatch All Angles  
IMPEDANCE DATA  
FREQ.  
ZIN (?)  
24.4 - j 13.4  
ZDL (?)  
30 MHz  
28.8 + j 7.2  
2/8  
SD2918  
TYPICAL PERFORMANCE  
Capacitancevs Drain-Source Voltage  
Maximum Thermal Resistance vs Case  
Temperature  
Drain Current vs Gate Voltage  
Gate-SourceVoltages vs Case Temperature  
3/8  
SD2918  
TYPICAL PERFORMANCE  
Output Power vs Input Power  
Output Power vs Input Power  
Output Power vs Voltage Supply  
Output Power vs Gate Voltage  
Power Gain & Efficiency vs Output Power  
4/8  
SD2918  
30 MHz Test Circuit Schematic  
VB  
+50V  
+
+
RF  
INPUT  
RF  
OUTPUT  
REF. 7143542A  
30 MHz Test Circuit ComponentPart List  
5/8  
SD2918  
30 MHz Test Circuit Photomaster  
REF. 7143542A  
30 MHz Production Test Fixture  
6/8  
SD2918  
M113 (.380 DIA 4/L N/HERM W/FLG) MECHANICAL DATA  
mm  
inch  
TYP.  
DIM.  
MIN.  
5.59  
TYP.  
MAX.  
5.84  
20.83  
18.54  
24.89  
9.78  
0.15  
2.67  
4.57  
7.14  
6.48  
3.30  
MIN.  
0.220  
0.780  
0.720  
0.970  
0.370  
0.004  
0.085  
0.160  
MAX.  
0.230  
0.820  
0.730  
0.980  
0.385  
0.006  
0.105  
0.180  
0.281  
0.255  
0.130  
A
B
C
D
E
F
G
H
I
19.81  
18.29  
24.64  
9.40  
0.10  
2.16  
4.06  
J
6.22  
3.05  
0.245  
0.120  
K
Controlling Dimension: Inches  
1010936D  
7/8  
SD2918  
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.
8/8  
配單直通車
SD2918產(chǎn)品參數(shù)
型號:SD2918
Brand Name:STMicroelectronics
生命周期:Not Recommended
包裝說明:FLANGE MOUNT, O-PRFM-F4
針數(shù):4
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代碼:EAR99
風(fēng)險等級:5.7
Is Samacsys:N
配置:SINGLE
最小漏源擊穿電壓:125 V
最大漏極電流 (Abs) (ID):6 A
最大漏極電流 (ID):6 A
FET 技術(shù):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高頻帶:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代碼:O-PRFM-F4
元件數(shù)量:1
端子數(shù)量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度:200 °C
封裝主體材料:PLASTIC/EPOXY
封裝形狀:ROUND
封裝形式:FLANGE MOUNT
峰值回流溫度(攝氏度):NOT SPECIFIED
極性/信道類型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):175 W
認(rèn)證狀態(tài):Not Qualified
子類別:FET General Purpose Power
表面貼裝:NO
端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL
處于峰值回流溫度下的最長時間:NOT SPECIFIED
晶體管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
  •  
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