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  • 首天國際（深圳）科技有限公司

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  • 深圳市科雨電子有限公司

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  • 千層芯半導體（深圳）有限公司

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產品型號IS42S16160D-75ETLI的概述

IS42S16160D-75ETLI芯片概述 IS42S16160D-75ETLI是一款由華邦電子（Winbond）生產的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）芯片。此芯片廣泛應用于各類電子設備中，為系統(tǒng)提供高質量的內存解決方案。它基于SDRAM技術，因此能夠支持高速數據傳輸和處理，為各種計算需求和應用提供強大的支持。IS42S16160D-75ETLI的設計旨在解決現代電子產品對快速、高效內存的需求，成為諸多應用中的核心組件。 芯片詳細參數 IS42S16160D-75ETLI的技術參數如下： - 存儲類型: DDR SDRAM - 容量: 16Mb（2048K x 8位） - 速度等級: 75ns - 工作電壓: 3.3V - 溫度范圍: 工業(yè)級（-40℃到85℃） - 接口類型: 低電壓差分信號（LVDS） - 封裝類型: TSOP II - 引腳數: 48 - 數據總線寬度: 8位 -...

產品型號IS42S16160D-75ETLI的Datasheet PDF文件預覽

配單直通車
IS42S16160D-75ETLI產品參數
型號:IS42S16160D-75ETLI
是否無鉛： 不含鉛
是否Rohs認證： 符合
生命周期：Obsolete
零件包裝代碼：TSOP2
包裝說明：TSOP2, TSOP54,.46,32
針數：54
Reach Compliance Code：compliant
ECCN代碼：EAR99
HTS代碼：8542.32.00.24
風險等級：5.62
訪問模式：FOUR BANK PAGE BURST
最長訪問時間：5.5 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大時鐘頻率 (fCLK)：133 MHz
I/O 類型：COMMON
交錯的突發(fā)長度：1,2,4,8
JESD-30 代碼：R-PDSO-G54
JESD-609代碼：e3
長度：22.22 mm
內存密度：268435456 bit
內存集成電路類型：SYNCHRONOUS DRAM
內存寬度：16
濕度敏感等級：3
功能數量：1
端口數量：1
端子數量：54
字數：16777216 words
字數代碼：16000000
工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作溫度：85 °C
最低工作溫度：-40 °C
組織：16MX16
輸出特性：3-STATE
封裝主體材料：PLASTIC/EPOXY
封裝代碼：TSOP2
封裝等效代碼：TSOP54,.46,32
封裝形狀：RECTANGULAR
封裝形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流溫度（攝氏度）：260
電源：3.3 V
認證狀態(tài)：Not Qualified
刷新周期：8192
座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES
連續(xù)突發(fā)長度：1,2,4,8,FP
最大待機電流：0.003 A
子類別：DRAMs
最大壓擺率：0.18 mA
最大供電電壓 (Vsup)：3.6 V
最小供電電壓 (Vsup)：3 V
標稱供電電壓 (Vsup)：3.3 V
表面貼裝：YES
技術：CMOS
溫度等級：INDUSTRIAL
端子面層：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING
端子節(jié)距：0.8 mm
端子位置：DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間：10
寬度：10.16 mm
Base Number Matches：1
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